| 发明名称 | 衬底加热设备、半导体装置制造方法以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种衬底加热设备，在该衬底加热设备中，使由真空加热容器(103)中的丝极(132)产生的热电子加速以碰撞形成所述真空加热容器(103)一个表面的传导加热器(131)，由此产生热。传导加热器(131)用碳制成。传导加热器(131)的内表面和外表面中至少之一用碳化钽(TaC)涂覆。 | ||
| 申请公布号 | CN101521146B | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN200910006816.4 | 申请日期 | 2009.02.27 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 柴垣真果 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 柴毅敏 |
| 主权项 | 一种衬底加热设备，其包括丝极和加速电源，所述丝极布置在真空加热容器中并连接至丝极电源以产生热电子，所述加速电源用于使所述热电子在所述丝极与形成所述真空加热容器的一个表面的传导加热器之间加速，以便使由所述丝极产生的热电子碰撞所述传导加热器并加热所述传导加热器，其中所述传导加热器用热解碳涂覆，并且其中所述传导加热器的内表面和外表面中至少之一用碳化钽(TaC)涂覆。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||