功率MOS晶体管与肖特基二极管的集成方法及结构

摘要

本发明公开了一种功率MOS晶体管与肖特基二极管的集成方法，包括以下步骤：1)在硅片上形成栅极；2)在需要形成肖特基的区域采用形成阻挡层，进行体区注入，并在去除阻挡层之后进行推进；3)接着进行源区注入和推进；4)然后形成深槽接触孔5)进行第一次接触孔注入，在深槽接触孔侧壁形成欧姆接触，并进行快速热退火；6)进行第二次接触孔注入，在深槽接触孔底部形成肖特基接触；7)继续后续工艺形成MOS管。本发明还公开了一种肖特基二极管集成在功率MOS晶体管接触孔底部。利用本发明方法制备的集成电路不仅减少所占用的面积，更能够减少工艺步骤，降低成本。

主权项

一种功率MOS晶体管与肖特基二极管的集成方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅片上形成沟槽栅极；2)在需要形成肖特基的区域采用形成阻挡层，进行体区注入，并在去除阻挡层之后进行推进；3)接着进行源区注入和推进；4)然后形成深槽接触孔；5)进行第一次接触孔注入，在深槽接触孔侧壁形成欧姆接触，并进行快速热退火；所述第一次接触孔注入的注入杂质为BF2、倾斜40度～60度，所述第一次接触孔注入后快速热退火的温度为600摄氏度～1050摄氏度、时间为10秒～40秒；6)进行第二次接触孔注入，在深槽接触孔底部形成肖特基接触；所述第二次接触孔注入的注入杂质为B、注入剂量为2E12CM‑2～8E12CM‑2；7)继续后续工艺形成MOS管。