一种非密堆SiO₂光子晶体的制备方法

摘要

一种非密堆SiO2光子晶体的制备方法，先以正硅酸乙酯为原料制备SiO2纳米和亚微米球体颗粒，利用一定粒径比的两种SiO2球体颗粒经超声、自组装后获得双尺寸光子晶体结构，再将双尺寸光子晶体结构经煅烧、刻蚀、清洗后即获得非密堆SiO2光子晶体，本发明方法制备周期短，工艺设备简单。

主权项

一种非密堆SiO2光子晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以正硅酸乙酯为原料制备SiO2纳米或亚微米球；第二步，将所制备的粒径比为大球∶小球＝5～8∶1的两种SiO2球体颗粒按质量比为大球∶小球＝5～10∶1分别进行称取，分别将两种SiO2球体颗粒超声分散于溶剂中，其中两种SiO2球体颗粒悬浮液的质量分数相等且两种SiO2球体颗粒均占其悬浮液总质量的0.8％～2％，超声时间为2～3h，然后将两悬浮液混合，继续超声分散2～3h，得混合悬浮液；第三步，将基底垂直浸入已放置平稳的混合悬浮液中，在抽真空中40℃、60％相对湿度下静置，待溶液完全蒸发后，在基底表面生长出一层双尺寸SiO2光子晶体；第四步，将双尺寸SiO2光子晶体在500～700℃下煅烧4～6h，将煅烧后的双尺寸SiO2光子晶体浸入质量浓度为1％～2％的HF酸溶液中刻蚀10～15min，然后在去离子水中清洗除去多余的HF酸溶液，在50～60℃下烘干即得非密堆SiO2光子晶体。