设置顶部刻蚀阻挡层以增加接触孔刻蚀制程窗口的方法

摘要

本发明设置顶部刻蚀阻挡层以增加接触孔刻蚀制成窗口的方法通过将通常在介质层底部的刻蚀停止层挪到顶部，其材质可以选择为氮化硅。基本工艺流程为首先正常刻蚀到硅栅高度，然后增加一块掩模版，区域包含硅基板上的孔，利用顶部膜作为硬阻挡层，来选择性的刻蚀接触孔，一般刻蚀深度在800A左右。刻蚀停止层可以在后续化学机械研磨（CMP）工程中剥离，当然也可以选择保留，其存在不影响后续工程。虽然增加了一道额外光刻工序，但是可以极大增加流程的工艺窗口，缩小芯片面积。

主权项

一种设置顶部刻蚀阻挡层以增加接触孔刻蚀制程窗口的方法，其特征在于，步骤a：在一包含有半导体器件单元的衬底上形成一层间介质层，同时将半导体器件单元所包含的第一栅极和第二栅极覆盖；步骤b：在所述介质层上淀积一刻蚀阻挡层；步骤c：在刻蚀阻挡层上旋涂光刻胶，进行第一次光刻形成栅极通孔、有源区通孔、栅极‑有源区通孔的开口图形；步骤d：利用开口图形进行第一干法刻蚀，打开刻蚀阻挡层，并刻蚀介质层，以形成栅极通孔、有源区通孔和栅极‑有源区通孔，使所述栅极通孔的底部止于并接触所述第一栅极；使所述有源区通孔的底部止于介质层中，且不接触半导体器件单元的有源区；使所述栅极‑有源区通孔底部的一部分区域止于并接触所述第二栅极，同时使栅极‑有源区通孔底部的另一部分区域止于介质层中，且不接触半导体器件单元的有源区；步骤e：去除光刻胶；步骤f：第二次在刻蚀阻挡层上旋涂光刻胶，并进行第二次光刻，第二次旋涂的光刻胶将所述栅极通孔覆盖，第二次光刻所形成的开口图形将所述有源区通孔和栅极‑有源区通孔露出；步骤g：利用第二次光刻所形成的开口图形进行第二干法刻蚀，刻蚀掉所述有源区通孔底部的介质层直至源区通孔止于并接触部分有源区，并刻蚀掉所述栅极‑有源区通孔底部止于介质层中的一部分区域下方的介质层，直至栅极‑有源区通孔止于并接触部分有源区；步骤h：将第二次旋涂的光刻胶去除。