| 发明名称 | 通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，将半导体器件的表面通过炉管生长一层侧壁层；进行干法刻蚀，将半导体器件中栅极侧壁的栅极侧壁层保留，去除多余侧壁层；进行湿法刻蚀，以对侧壁的厚度进行调整。本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺解决了现有技术中通过炉管生长侧壁层，然后再用干法刻蚀去除多余部分的侧壁层所造成的工艺时间长及工艺不稳定的问题，通过进行湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸，达到了优化制程同时提高良产率的技术效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102420123A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110110334.0 | 申请日期 | 2011.04.29 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 刘格致;毛刚 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其特征在于，将半导体器件的表面通过炉管生长一层侧壁层；进行干法刻蚀，将半导体器件中栅极侧壁的栅极侧壁层保留，去除多余侧壁层；进行湿法刻蚀，以对侧壁的厚度进行调整。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||