发明名称 使用等离子体鞘工程的加化蚀刻与沉积剖面控制
摘要 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言,揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中,等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围,可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中,使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中,等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围,可形成多种不同形状的特征。
申请公布号 CN102422389A 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201080020274.7 申请日期 2010.04.02
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;维克拉姆·辛
分类号 H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种保形沉积的方法,包括:将工件定位在处理腔室中;在所述处理腔室中产生等离子体,所述等离子体具有邻近于所述工件的前表面的等离子体鞘;以及修改所述等离子体与所述等离子体鞘之间的边界的形状,同时使材料越过所述边界自所述等离子体加速,以在所述工件的所述前表面的特征上形成经沉积的层。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号