| 发明名称 | 光电转换元件，固态成像元件，成像设备和用于制造光电转换元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光电转换元件，固态成像元件，成像设备和用于制造光电转换元件的方法。光电转换元件包括绝缘膜，第一电极，光接收层和第二电极。第一电极在绝缘膜上形成并且由氧氮化钛制成。光接收层在第一电极上形成并且包含有机材料。刚好在形成光接收层之前的第一电极的组成满足以下要求：(1)在整个第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子％以上，或(2)在从第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从第一电极的基板侧至第一电极的厚度的2/3的范围内，氧的量是钛的量的40原子％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102420236A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110289309.3 | 申请日期 | 2011.09.27 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 三井哲朗;藏本有纪 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种光电转换元件，所述光电转换元件包括：绝缘膜，其形成在基板上并且由氧化物膜制成；第一电极，其形成在所述绝缘膜上；光接收层，其形成在所述第一电极上并且包含有机材料；和第二电极，其形成在所述光接收层上，其中所述第一电极由氧氮化钛制成，并且刚好在形成所述光接收层之前的所述第一电极的组成满足：要求(1)：在整个所述第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子％以上，或要求(2)：在从所述第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从所述第一电极的基板侧至所述第一电极的厚度的2/3的范围内，氧的量是钛的量的40原子％以上。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||