废气处理装置及废气处理方法

摘要

处理从半导体制造装置20排出的混合气体的废气处理装置10具备：使混合气体通过，吸附混合气体所含的多种气体中主要需要除害的单硅烷气体，由此分离单硅烷气体和无需除害的氢气的吸附分离部40；使吸附于吸附分离部40的单硅烷脱离的加热机构；对从吸附分离部40脱离的单硅烷气体进行除害的硅烷气体除害部50；将通过吸附分离部40从混合气体中分离的氢气排出的氢气排气部60。

主权项

一种废气处理装置，所述废气处理装置处理从半导体制造装置排出的混合气体，其特征在于，具备：吸附分离部，使所述混合气体通过，吸附所述混合气体中包含的多种气体中主要需要除害的第1气体，由此分离该第1气体和无需除害的第2气体，脱离机构，使吸附于所述吸附分离部的所述第1气体脱离，第1气体处理部，处理从所述吸附分离部脱离的所述第1气体，第2气体处理部，处理通过所述吸附分离部而从混合气体中分离的所述第2气体。