发明名称 |
源漏注入结构的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体器件中源漏注入结构的制备方法,其通过先一次光刻显影后的光刻胶图形为掩膜进行轻掺杂漏注入,而后缩小掩膜图形的开口,再以缩小后的掩膜图形进行源漏注入,形成源漏注入区。利用本发明的制备方法,只需一次光刻显影,且省略了侧墙工艺,可广泛用于半导体器件制备中。 |
申请公布号 |
CN101661887B |
申请公布日期 |
2012.04.18 |
申请号 |
CN200810043731.9 |
申请日期 |
2008.08.25 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈福成;朱骏 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种源漏注入结构的制备方法,所述源漏注入结构包括源漏注入区和轻掺杂漏区,其特征在于,在硅衬底上形成所述半导体器件的栅极之后,包括如下步骤:1)在所述硅衬底表面上淀积一层氧化硅,作为离子注入时的保护层;2)在所述氧化硅上涂光刻胶,用低剂量离子注入区的光刻掩膜版曝光显影,曝出需进行低剂量离子注入的区域,以显影后的光刻胶图形为掩膜,进行离子注入形成轻掺杂漏区;3)对硅片进行烘烤,使光刻胶图形开口缩小至预定的数值范围;4)利用开口尺寸缩小后的光刻胶图形为掩膜,进行源漏离子注入,形成源漏注入区;5)去除光刻胶并清洗。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |