具有剪裁的电介质的P型场效应晶体管及方法和集成电路

摘要

本发明公开了一种具有剪裁的电介质的PFET及相关方法和集成电路，剪裁的电介质由PFET中的栅叠层中的NFET阈值电压(Vt)功函数调制层部分地组成。在一个实施例中，PFET包括n-型掺杂的硅阱(N阱)和栅叠层，该栅叠层包括：N阱上的掺杂的能带工程的PFET阈值电压(Vt)功函数调制层；掺杂的能带工程的PFET Vt功函数调制层上的剪裁的电介质层，该剪裁的电介质层由掺杂的能带工程的PFET Vt功函数调制层上的高介电常数层和高介电常数层上的n型场效应晶体管(NFET)阈值电压(Vt)功函数调制层构成；以及NFET Vt功函数调制层上的金属。

主权项

一种制造集成电路的方法，包括：提供包括n型金属氧化物半导体区域和p型金属氧化物半导体区域的注入的衬底；只在所述p型金属氧化物半导体区域之上形成掺杂的能带工程的p型场效应晶体管阈值电压功函数调制层；在所述注入的衬底之上形成高介电常数层；在所述高介电常数层之上形成n型场效应晶体管阈值电压功函数调制层；在所述n型场效应晶体管阈值电压功函数调制层之上形成金属层；以及图案化所述n型金属氧化物半导体区域之上的第一栅极和所述p型金属氧化物半导体区域之上的第二栅极，所述第二栅极包括所述p型金属氧化物半导体区域之上的所述掺杂的能带工程的p型场效应晶体管阈值电压功函数调制层和所述n型场效应晶体管阈值电压功函数调制层。