| 发明名称 | 具有低温磁电阻效应的外延Ti<sub>0.53</sub>Cr<sub>0.47</sub>N薄膜材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有低温磁电阻效应的Ti0.53Cr0.47N外延薄膜材料及制备方法。外延薄膜材料为Ti0.53Cr0.47N，在温度为5K和磁场为50kOe下，磁电阻为6％。采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的DPS-III型超高真空对向靶磁控溅射镀膜机，基底材料为MgO(100)单晶片，在对向的靶头上安装一对纯度为99.99％的Ti靶，一头作为磁力线的N极，另一头为S极；在Ti靶的表面均匀放置Cr片，通过抽真空、预溅射、温度调整、电流电压的控制等条件的选择，制备了MgO基底材料上外延生长的Ti0.53Cr0.47N薄膜样品。本发明所制备的薄膜具有低温磁电阻效应，所采用的方法简单实用，有利于在工业生产上的推广。 | ||
| 申请公布号 | CN102418069A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110325753.6 | 申请日期 | 2011.10.24 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 米文博;段秀峰;白海力 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 王丽 |
| 主权项 | 具有低温磁电阻效应的外延薄膜材料，其特征是外延薄膜材料为Ti0.53Cr0.47N，在温度为5K和磁场为50kOe下，磁电阻为6％。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||