发明名称 一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法
摘要 本发明公开了一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法,该方法包括:对要进入光刻机的硅片进行背面清洗处理;然后将清洗处理完的硅片置于一个临时性托盘上,该托盘所使用的底层材料为硅,正面材料不含金属,有与硅片切口对应的凸起,且具有如下特性:与硅片背面的硅在平行于硅片表面的方向的静态摩擦阻力非常高,在垂直于硅片表面的方向没有显著的粘附力;将硅片和该临时性托盘一起送入光刻机,进行光阻的旋转涂覆,曝光及显影;最后将硅片和该临时性托盘分离,再次对硅片背面进行背面清洗处理。本发明避免了光刻机被硅片背面金属沾污,可将前后道硅片用同一台光刻机进行工艺,提高了产能,同时节省了采购新光刻机的巨额成本。
申请公布号 CN102420113A 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201110110191.3 申请日期 2011.04.29
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 周军
分类号 H01L21/027(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 王敏杰
主权项 一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法,其特征在于,具体包括如下步骤:对要进入光刻机进行各项工艺的硅片进行背面清洗处理;将清洗处理完的硅片放置在一个托盘上;将硅片和所述托盘一起送入光刻机,进行光阻的旋转涂覆,曝光及显影;将硅片和所述托盘在垂直于硅片表面的方向上进行分离;再次对硅片背面进行背面清洗处理。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号