| 发明名称 | 具有低K材料的三维集成电路结构 | ||
| 摘要 | 一种器件，包括：其中不包含有源器件的中介层。中介层包括：基板；穿透基板的基板通孔(TSV)；以及位于基板上方的低k介电层。本发明还提供了一种具有低K材料的三维集成电路结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102420213A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110204416.1 | 申请日期 | 2011.07.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;邱文智;吴仓聚 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种器件，包括：中介层，其中不包含有源器件，其中，所述中介层包括：基板；基板通孔(TSV)，穿透所述基板；以及第一介电层，位于所述基板上方，其中，所述第一介电层的第一k值小于大约3.8。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||