| 发明名称 | 一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。 | ||
| 申请公布号 | CN102420274A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110321003.1 | 申请日期 | 2011.10.15 |
| 申请人 | 徐州师范大学 | 发明人 | 赵波;齐红霞 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人 | 何君 |
| 主权项 | 一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，其特征是：该制备方法包括如下步骤：步骤一，清洗硅片；步骤二，在清洗后的硅片上制备多孔硅；步骤三，在多孔硅上沉积氮化铝薄膜；步骤四，用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 | ||
| 地址 | 221000 江苏省徐州市铜山区上海路101号 | ||