在直接化学机械抛光工艺的产品用SL掩模板的方法

摘要

本发明公开了一种在直接化学机械抛光工艺的产品用SL掩模板的方法，所述SL掩模板，是指在STI形成后，用于打开光刻对准标记区域并进行附加刻蚀时所使用的掩模板，使最终形成的光刻对准标记台阶高度满足后续光刻对准工艺需求；其中：设计一块通用SL掩模板，其包括各光刻对准标记的打开图形，各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用于防止光刻机挡板漏光的暗区；在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的参数，使所述SL掩模板用于不同的DCMP工艺的产品中。采用本发明的方法可以使所述SL掩模板在不同的DCMP工艺的产品用，达到降低产品生产成本的目的。

主权项

一种在直接化学机械抛光工艺的产品中共用划片槽掩模板的方法，所述划片槽掩模板，是指在STI形成后，用于打开光刻对准标记区域并进行附加刻蚀时所使用的掩模板，使最终形成的光刻对准标记台阶高度满足后续光刻对准工艺需求；其特征在于：设计一块通用划片槽掩模板，其包括各光刻对准标记的打开图形、各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用于防止光刻机挡板漏光的暗区；在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的参数，使所述划片槽掩模板用于不同的DCMP工艺的产品中。