发明名称 一种带介电修饰层的有机场效应晶体管及制备方法
摘要 本发明属于有机半导体器件领域,涉及一种带介电修饰层的有机场效应晶体管,其特征是有机场效应晶体管包括栅电极、介电材料层、锌化合物层、有机小分子自组装层、有机半导体材料层、源漏电极;用溶液法沉积一层锌化合物层,然后在此锌化合物层上再通过自组装的方法形成一层有机小分子自组装层,由此而得的锌化合物/有机小分子自组装层共同作为有机场效应晶体管的介电修饰层。用此方法修饰有机场效应晶体管的介电层可以使器件展现出比常规器件高出一倍的载流子迁移率,而且还可赋予有机场效应晶体管良好的光响应特性。本发明在有机光电器件和多功能器件领域有较广的应用范围。
申请公布号 CN102420288A 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201110371197.6 申请日期 2011.11.21
申请人 北京科技大学 发明人 李立东;徐新军
分类号 H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/05(2006.01)I
代理机构 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 代理人 刘淑芬
主权项 一种带介电修饰层的有机场效应晶体管,其特征是有机场效应晶体管的器件结构包括栅电极、介电材料层、锌化合物层、有机小分子自组装层、有机半导体材料层、源漏电极;修饰过程是:向有机场效应晶体管的介电材料层上通过溶液法沉积一层锌化合物层,锌化合物层厚度为5~1000 nm,然后在此锌化合物层上再通过自组装的方法形成一层有机小分子自组装层,有机小分子自组装层厚度为0.3~10 nm,由此而得的锌化合物/有机小分子自组装层共同作为有机场效应晶体管的介电修饰层,介电修饰层位置位于有机场效应晶体管的介电材料层与有机半导体层之间。
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