半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，不用增加很大的工序且采用控制性优良的工序，与CMOS在同一衬底上实现改变了P-体的深度的沟槽MOSFET。在沟槽MOSFET中，在P-体区域(4)的一部分的与深沟槽(5)分开的附近，设置扩散成比P-体区域(4)更深的延伸体区域(10)。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其中包括：在第1导电型的半导体衬底形成成为高浓度漏极的第2导电型的埋入层的工序；在所述埋入层上形成成为低浓度漏极的第2导电型的外延层的工序；在所述外延层内形成成为体区域的第1导电型的第1扩散层区域的工序；形成从所述第1扩散层区域延展到所述外延层内的深沟槽区域的工序；在所述深沟槽区域的内壁形成栅极绝缘膜的工序；与所述栅极绝缘膜相接，在所述深沟槽区域内填充多晶硅从而形成栅极电极的工序；在所述第1扩散层区域表面形成第2导电型的源极区域的工序；从所述第1扩散层区域表面，并在与所述深沟槽区域分开的位置，向成为所述第1扩散层区域的底部的区域离子注入杂质，与所述第1扩散层区域相连续地形成成为向所述外延层延伸的延伸体区域的第1导电型的第2扩散层区域的工序；以及在所述第1扩散层区域表面形成成为体接触区域的第1导电型的高浓度扩散层的工序。