发明名称 一种防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法
摘要 本发明提供了一种防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法,包括:提供一衬底,在所述衬底上形成一金属层;在所述金属层上涂敷一层附着剂;在所述附着剂上形成一底部抗反射涂层,使所述底部抗反射涂层紧密附着在所述金属层上;在所述底部抗反射涂层上形成光刻胶。本发明提供的防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法,利用在金属层上涂敷一层附着剂,使底部抗反射涂层与金属层之间的粘附性增强,从而使底部抗反射涂层涂覆均匀,不致使形成在底部抗反射涂层上的光刻胶产生孔洞,最终保证了工艺质量。
申请公布号 CN102420129A 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201110301260.9 申请日期 2011.09.28
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 黄晖;杨熙
分类号 H01L21/312(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/312(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法,其特征在于,包括:提供一衬底,在所述衬底上形成一金属层;在所述金属层上涂敷一层附着剂;在所述附着剂上形成一底部抗反射涂层,使所述底部抗反射涂层紧密附着在所述金属层上;在所述底部抗反射涂层上形成光刻胶。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号