| 发明名称 | 超低介电常数薄膜铜互连结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连结构及其制作方法，所述超低介电常数薄膜铜互连结构包括超低介电常数薄膜和形成在超低介电常数薄膜内的铜互连层，所述超低介电常数薄膜呈多孔状，所述超低介电常数薄膜和所述铜互连层之间设有一层密封层。本发明的优点是减小了超低介电常数薄膜铜互连的漏电流、提高了超低介电常数薄膜铜互连的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102420212A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110274608.X | 申请日期 | 2011.09.15 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 陈玉文;张文广;徐强;郑春生 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种超低介电常数薄膜铜互连结构，包括超低介电常数薄膜和形成在超低介电常数薄膜内的铜互连层，所述超低介电常数薄膜呈多孔状，其特征在于：所述超低介电常数薄膜和所述铜互连层之间设有一层密封层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||