提升SONOS 器件数据保持力的方法以及SONOS 器件结构

摘要

本发明提供了一种提升SONOS器件数据保持力的方法以及SONOS器件结构。所述SONOS器件包括依次邻接的栅极硅、顶层氧化硅层、氮化硅层、隧穿氧化硅层、以及衬底硅层；所述提升SONOS器件数据保持力的方法包括：使得所述氮化硅层中靠近所述顶层氧化硅层及所述隧穿氧化硅层的氮化硅区域的Si/N比大于所述氮化硅层中间部分的Si/N比。由此，可以通过简单改进来提升SONOS器件数据保持力，而无需复杂工艺；并且，根据本发明第一方面所述的提升SONOS器件数据保持力的方法不会增大氮化硅层的介电常数，从而能够制造较厚的隧穿氧化硅层而不会引起太高的操作电压。

主权项

一种提升SONOS器件数据保持力的方法，所述SONOS器件包括依次邻接的栅极硅、顶层氧化硅层、氮化硅层、隧穿氧化硅层、以及衬底硅层，其特征在于所述提升SONOS器件数据保持力的方法包括：使得所述氮化硅层中靠近所述顶层氧化硅层及所述隧穿氧化硅层的氮化硅区域的Si/N比大于所述氮化硅层中间部分的Si/N比。