由应力补偿化合物半导体层构成的隧道二极管

摘要

本发明涉及半导体元件，具体是由III-V化合物半导体制成的太阳能电池，如在陆地PV集中器系统所使用的或用于卫星中的电能供应。不过，或者在需要高隧道电流密度，或者使用特殊材料的情况下，并且在不要求整个结构中的应力的情况下，它还用在其它光电元件中，诸如激光二极管和发光二极管。本发明包括由利用应力补偿的半导体层制成的半导体元件形成隧道二极管。

主权项

一种半导体元件，包括以夹层形式设置于两个半导体层(1，2)之间的至少一个隧道二极管层序，所述隧道二极管包括至少一个退化n导电层(3)以及还有一个退化p导电层(4)，所述层(3，4)分别具有介于10nm和100nm之间的厚度，所述退化层(3，4)的材料的晶格常数具有至少0.5％的差异。