半导体装置、半导体装置的制造方法及等离子体CVD用气体

摘要

本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

主权项

一种等离子体CVD用气体，其特征在于，该气体包含不饱和碳氟化合物、和作为杂质的含氢原子化合物，所述含氢原子化合物为具有氢原子的有机化合物以及水，并且，通过GC‑MS分析法分析，具有氢原子的有机化合物未检测出，通过KF分析法分析，水分为检测极限以下，并且，所述GC‑MS分析法和所述KF分析法的分析条件如下：其中，GC‑MS分析的分析条件为：[气相色谱部分]装置：Hewlett Packard公司制HP‑6890柱：Frontier Lab Ultra Alloy+‑1s    60m×I.D 0.25mm，0.4μmdf柱温度：‑20℃载气：氦[质量分析计部分]装置：Hewlett Packard公司制5973NETWORK检测器：EI型，加速电压：70eVKF分析的分析条件为：装置：平沼产业制AQ‑7发生液：HYDRANAL Aqualyte RS反电极液：Aqualyte CN检测极限：0.5ppm。