| 发明名称 |
Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP2375451(A3) |
申请公布日期 |
2012.04.18 |
| 申请号 |
EP20110173329 |
申请日期 |
2005.11.30 |
| 申请人 |
SS SC IP, LLC |
发明人 |
SANKIN, IGOR;CASADY, JEFFREY. B;MERRETT, JOSEPH N. |
| 分类号 |
H01L29/423;H01L27/098;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/808;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L29/423 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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