| 发明名称 | 晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有晶体管的栅极，所述栅极下方的半导体衬底定义为沟道区；对所述栅极进行第一离子注入，在栅极内形成离子掺杂区；形成覆盖所述栅极和半导体衬底的应力层；进行退火，在所述沟道区内形成平行于沟道长度方向的应力；进行刻蚀工艺，去除所述栅极和半导体衬底上的应力层；在所述栅极两侧形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，进行源/漏离子注入，形成晶体管的源/漏区。本发明的方法减小了晶体管的源/漏区的剂量损失，减小了晶体管的源/漏区电阻和功耗，提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102420138A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201010299347.2 | 申请日期 | 2010.09.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有晶体管的栅极，所述栅极下方的半导体衬底形成沟道区；对所述栅极进行第一离子注入，在栅极内形成离子掺杂区；形成覆盖所述栅极和半导体衬底的应力层；进行退火，在所述沟道区内形成平行于沟道长度方向的应力；进行刻蚀工艺，去除所述栅极和半导体衬底上的应力层；在所述栅极两侧形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，进行离子注入，形成晶体管的源/漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||