发明名称 |
非易失性存储装置和对非易失性存储装置的写入方法 |
摘要 |
提供一种提高了写入动作的稳定性和可靠性的非易失性存储装置。该非易失性存储装置具备电阻变化型元件(106)和向电阻变化型元件(106)写入信息的写入电路(101),电阻变化型元件(106)具有以下特性,即:在施加第1电压(Vh或Vl)的脉冲后,从第1电阻状态(LR状态或HR状态)向第2电阻状态(HR状态或LR状态)变化,在施加极性与第1电压不同的第2电压(Vl或Vh)的脉冲后,从第2电阻状态向第1电阻状态变化。写入电路(101)在使电阻变化型元件(106)从第1电阻状态向第2电阻状态变化时,对于电阻变化型元件(106),至少将第1电压(Vh或Vl)的脉冲、电压的绝对值比第2电压小且极性与第2电压相等的第3电压(VlLow或VhLow)的脉冲、以及第1电压(Vh或Vl)的脉冲以该顺序来进行施加。 |
申请公布号 |
CN102422361A |
申请公布日期 |
2012.04.18 |
申请号 |
CN201180002021.1 |
申请日期 |
2011.03.28 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
加藤佳一 |
分类号 |
G11C13/00(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐殿军 |
主权项 |
一种非易失性存储装置,具备:电阻变化型元件,该电阻变化型元件具有第1电极、第2电极和配置在所述第1电极和所述第2电极间的电阻变化层;以及写入电路,向所述电阻变化型元件写入信息;该非易失性存储装置的特征在于:所述电阻变化型元件具有以下特性,即:若施加第1电压的脉冲,则从用于第1信息的存储的第1电阻状态向用于第2信息的存储的第2电阻状态变化,若施加极性与所述第1电压不同的第2电压的脉冲,则从所述第2电阻状态向所述第1电阻状态变化;所述写入电路,在使所述电阻变化型元件从所述第1电阻状态向所述第2电阻状态变化时,对于所述电阻变化型元件,至少将所述第1电压的脉冲、电压的绝对值比所述第2电压小且极性与所述第2电压相等的第3电压的脉冲、以及所述第1电压的脉冲按所提及的顺序进行施加。 |
地址 |
日本大阪府 |