| 发明名称 | 一种晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点及其制备方法，它涉及一种稀磁半导体量子点及其制备方法。它解决了目前钴离子掺杂量子点的方法都无法将钴离子掺杂到CdS量子点晶格内部，无法得到晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点的问题。晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点是钴离子掺杂摩尔浓度为0.076～0.185的CdS量子点。制备方法：一、十六烷基胺真空脱气；二、降温在氮气氛条件下将(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]和(Me4N)2[Co4(SC6H5)10]加入，然后升温；三、待达到设定颗粒尺寸，降温；四、离心分离、沉淀物再真空干燥；五、表面配体交换。本发明晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点在室温条件下兼具荧光和磁性双重特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101074369B | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN200710072412.6 | 申请日期 | 2007.06.27 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 蔡伟;李志国 |
| 分类号 | C09K11/56(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人 | 单军 |
| 主权项 | 一种晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点，其特征在于晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点是钴离子掺杂摩尔浓度为0.076～0.185的CdS量子点。 | ||
| 地址 | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||