发明名称 Bipolar junction transistor geometry
摘要 Embodiments of methods, apparatus, devices and/or systems associated with bipolar junction transistor are disclosed.
申请公布号 US8159048(B2) 申请公布日期 2012.04.17
申请号 US20040769571 申请日期 2004.01.30
申请人 APEL THOMAS R.;MIDDLETON JEREMY R.;TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 APEL THOMAS R.;MIDDLETON JEREMY R.
分类号 H01L27/102;H01L29/06;H01L29/737 主分类号 H01L27/102
代理机构 代理人
主权项
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