| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zusammenfügen eines ersten Elementes, das wenigstens ein erstes Substrat (2) oder wenigstens einen Chip umfasst, und eines zweiten Elementes, das wenigstens ein zweites Substrat (12) umfasst, wobei das Verfahren umfasst: (a) das Bilden einer als Bindeschicht bekannten Oberflächenschicht (4, 4'2, 4'4, 4'6, 4'8, 14) auf jedem Substrat, wobei wenigstens eine dieser Bindeschichten bei einer Temperatur kleiner oder gleich 300°C gebildet wird; (b) ein als Entgasungsglühen bekanntes erstes Gühen der Bindeschichten vor dem Zusammenfügen wenigstens teilweise bei einer Temperatur von wenigstens gleich der nachfolgenden Bindegrenzflächenfestigungstemperatur (Tr), jedoch unter 450°C; (c) ein Zusammenfügen der Substrate durch Inkontaktbringen der freiliegenden Oberflächen der Bindeschichten (4, 4'2, 4'4, 4'6, 4'8, 14); (d) ein Glühen der zusammengefügten Struktur bei einer Bindegrenzflächenfestigungstemperatur (Tr) unter 450°C. |
