Höhere Integrität eines Gatestapels mit großemεdurch Erzeugen einer gesteuerten Unterhöhlung auf der Grundlage einer Nasschemie

摘要

In komplexen Halbleiterbauelementen wird die Einkapselung empfindlicher Gatematerialien, etwa eines dielektrischen Materials mit großem &egr; und eines metallenthaltenden Elektrodenmaterials, die in einer frühen Fertigungsphase bereitgestellt werden, bewerkstelligt, indem eine Gatekonfiguration mit Unterhöhlung erzeugt wird. Dazu wird eine nasschemische Ätzsequenz nach dem grundlegenden Strukturieren des Gateschichtstapels angewendet, wobei zumindest Prozessschritte auf Ozonbasis und Flusssäurebasis in abwechselnder Weise ausgeführt werden, wodurch ein im Wesentlichen selbstbegrenzendes Abtragungsverhalten erreicht wird.