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Sputterdepositions-Vorrichtung mit: wenigstens einem Sputter-Target in einer ersten Ebene; einem Plasma; einem Substrathalter in einer zweiten Ebene; wobei der Winkel zwischen der ersten Ebene und der zweiten Ebene zwischen 15° und 35° beträgt und deriierender Stärke aufweist, die an einem Innenbereich des Substrathalters größer ist, als an einem Außenbereich des Substrathalters.
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