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Freistehendes Nitrid-Halbleitersubstrat, umfassend: einen freistehenden zusammengesetzten Halbleiterkristall auf Nitrid-Basis, der eine Variation der Gitterkonstante von ±12 ppm oder weniger aufweist, wobei die Variation der Gitterkonstante eine Variation der gemessenen Gitterkonstanten in der Ebene eines Bereichs mit Ausnahme eines von einem äußersten Umfang des Substrats in einer Radiusrichtung 2 mm nach innen reichenden Teils umfasst.
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