Herstellverfahren und Halbleiterbauelement mit Verformungstechnologie in dreidimensionalen Transistoren auf der Grundlage global verformter Halbleiterbasisschichten

摘要

Verfahren mit: Bereitstellen einer Halbleiterschicht, die über einem Substrat gebildet ist, wobei die Halbleiterschicht eine biaxiale Verformung aufweist; Bilden eines Halbleitersteigs aus der Halbleiterschicht, wobei der Halbleitersteg eine Länge und eine Breite besitzt, wobei die Länge und die Breite eine im uniaxiale Verformung bewirken, die entlang einer Länge des Halbleiterstegs orientiert ist; Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf einem zentralen Bereich des Halbleiterstegs, wobei die Gateelektrodenstruktur ausgebildet ist, ein Kanalgebiet in dem Halbleitersteg zu steuern; und Bilden von Drain- und Sourcebereichen in dem Halbleitersteg benachbart zu dem Kanalgebiet.