Oxidabscheidung unter Anwendung eines Doppelbeschichtungsverfahrens zur Verringerung der Strukturdichtenabhängigkeit in komplexen Halbleiterbauelementen

摘要

Ein Siliziumdioxidmaterial wird in komplexen Halbleiterbauelementen in Form einer Doppelbeschichtung bereitgestellt, die ein nicht-dotiertes Siliziumdioxidmaterial in Verbindung mit einem Siliziumdioxid mit hoch-dichtem Plasma aufweist, wodurch die Abhängigkeit von der Strukturmusterdichte verringert wird. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird die Siliziumdioxiddoppelbeschichtung als ein Abstandshaltermaterial und als ein Hartmaskenmaterial in Prozessstrategien verwendet, um ein verformungsinduzierendes Halbleitermaterial einzubauen.