低压有机薄膜电晶体以及其制造方法

摘要

本发明提供一种在低压下操作之有机薄膜电晶体。有机薄膜电晶体具有超薄金属氧化物之闸极介电层或具有金属氧化物以及有机介电质之双闸极介电层。藉由在低于100℃之温度下在氧电浆制程中直接氧化金属闸电极，使金属氧化物层自我生长至低于10奈米之厚度。在塑胶或玻璃基板上沈积具有图案的闸电极。在闸极介电层上沈积有机半导体层，且在有机半导体层上形成源/汲电极。倘若使用双闸极介电层，则可将源/汲电极安置于有机半导体层之下以实现底部接触结构。