氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法

摘要

提供光取出效率优良的氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法。于基板11上将氮化镓系化合物半导体所构成之n型半导体层13、发光层14及p型半导体层15以此顺序层合，并于p型半导体层15上层合透光性正极16并且于该透光性正极上16设置正极黏着垫17，并于n型半导体层13上设置负极黏着垫18的发光元件中，于p型半导体层15之表面15a的至少一部分形成无秩序的凹凸面。