半导体装置

摘要

本发明课题在于使半导体装置的电压转换效率提升。;其解决手段为：针对具有串接着高电位侧开关用的功率MOS．FETQ1和低电位侧开关用的功率MOS．FETQ2的电路的非绝缘型DC-DC换流器，将高电位侧开关用的功率MOS．FETQ1、和用以驱动功率MOS．FETQ1、Q2的驱动电路3a、3b，形成在同一半导体晶片5a，且将低电位侧开关用的功率MOS．FETQ2形成在别的半导体晶片5b，且将该两个半导体晶片5a、5b密封于同一封装体6a内。