HVPE腔室硬件

摘要

本发明所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。

主权项

一种设备，包括：腔室主体，具有数个腔室壁；反应性产物舟，耦接至所述腔室主体；第一反应性产物源，配置于所述反应性产物舟中；第二反应性源，配置于所述反应性产物舟中；第一加热元件，耦接至所述反应性产物舟；第三反应性源，耦接至所述腔室主体且配置于所述反应性产物舟外；第二加热元件，嵌于所述腔室壁中；气体分配元件，配置于所述腔室主体中且与所述第三反应性源耦接；基座，配置于所述腔室主体中且与喷头相对；及一个或多个加热元件，配置于所述基座下方。