| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置具备多个焊料凸起，其在半导体基板上以小于等于40μm的节距并列的多个电极衬垫上经由凸起下金属分别与相应的电极衬垫电连接。上述焊料凸起的距离上述半导体基板最远的部分的直径和该焊料凸起的底边的直径的比值是1∶1～1∶4。 | ||
| 申请公布号 | CN102412220A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110276313.6 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 右田达夫;江泽弘和;山下创一 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘薇;陈海红 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：多个焊料凸起，其在半导体基板上以小于等于40μm的节距并列的多个电极衬垫上经由凸起下金属分别与相应的电极衬垫电连接；其中，上述焊料凸起的距离上述半导体基板最远的部分的直径(顶部直径)与该焊料凸起的底边的直径(底部直径)的比值是1∶1～1∶4。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||