利用栅多晶硅提高晶体管载流子迁移率的方法

摘要

本发明一般涉及一种改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用栅多晶硅提高晶体管载流子迁移率的方法。CMOS器件中的PMOS器件的栅极由多晶硅晶粒大小不同的多层多晶硅层构成，并且PMOS器件栅极中任意一层多晶硅层的多晶硅晶粒大小比位于该任意一层多晶硅层下方的一层多晶硅层的多晶硅晶粒大小要小一些，由多层多晶硅层构成的栅极的内部的张应力传递至PMOS器件的沟道区，从而形成了PMOS器件沟道区沿沟道方向的压应力，该压应力有助于提高PMOS器件沟道区空穴的迁移率。

主权项

一种利用栅多晶硅提高晶体管载流子迁移率的方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积不同层次的多层多晶硅层以构成一半导体器件所包含的第一导电类型的晶体管的栅极，并且，在沉积多晶硅层的过程中，所沉积的任意一层多晶硅层的多晶硅晶粒大小与多层多晶硅层中其他多晶硅层的多晶硅晶粒大小均不相同，用以形成栅极所包含的不同层次多晶硅层之间的多晶硅晶粒大小的梯度。