| 发明名称 | 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管，包括多晶栅极区poly、掺杂区、氧化层、金属层METAL，多晶栅极区poly设于氧化层内，其特征在于：所述的多晶栅极区poly分为第一区、第二区、所述的第一区设于第二区内，通过环形槽隔开；所述的第一区与金属层METAL间的氧化层设有开口，第一区与金属层METAL通过引线孔连接。新结构相比于传统结构饱和电流下降约50%。 | ||
| 申请公布号 | CN202189792U | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201120303757.X | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 | 发明人 | 屈志军;曾祥 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 33221 | 代理人 | 应圣义 |
| 主权项 | 一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管，包括多晶栅极区（poly）、掺杂区、氧化层、金属层（METAL），多晶栅极区（poly）设于氧化层内，其特征在于：所述的多晶栅极区（poly）分为第一区、第二区、所述的第一区设于第二区内，通过环形槽隔开；所述的第一区与金属层（METAL）间的氧化层设有开口，第一区与金属层（METAL）通过引线孔连接。 | ||
| 地址 | 214131 江苏省无锡市滨湖经济开发区高凯路8号 | ||