| 发明名称 | 一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其中，将NH3、H2混合气体作为等离子体源，对不定型硬掩模进行等离子体刻蚀。本发明无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法解决了现有技术中等立体刻蚀无定形硬掩模的过程中所使用的等离子体选择比损失大，形貌较差，且刻蚀工艺窗口较小的问题，通过使用无定形碳选择比很高的NH3和H2进行等离子体刻蚀，从而能够在足够高选择比的情况下刻蚀出良好形貌，同时能够扩大工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN102412139A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110133617.7 | 申请日期 | 2011.05.23 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 李全波 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，将NH3、H2混合气体作为等离子体源，对无定形碳硬掩模进行等离子体刻蚀。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||