一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管及其的制备方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直结构的纳米线隧穿场效应晶体管的制备方法。在水浴环境下生长所需的ZnO纳米线，不需要高温高压环境，溶液配置简单，生长方便，价格低廉，并且直接将纳米线构成垂直结构的MOS器件，可以避免后期的纳米线处理。本发明结构简单，制造方便，成本较低，而且利用网格可以使生长的纳米线沟道与以此制造的垂直结构的MOSFET阵列排布可控，便于直接完成大规模MOSFET阵列的制造。

主权项

一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：一个p型重掺杂的半导体衬底；位于所述衬底之上形成的籽晶层；位于所述籽晶层之上形成的垂直结构的纳米线；位于所述纳米线沟道四周并覆盖所述籽晶层形成的栅介质层；覆盖所述栅介质层形成的重掺杂多晶硅栅极；所述的纳米线顶端作为器件的漏极，并与金属接触作为金属电极引出；以所述重掺杂的半导体衬底作为源极。