| 发明名称 | 硅纳米管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硅纳米管的制作方法，该方法包括以下步骤：在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；在多晶硅线一侧，以第一角度进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；在多晶硅线另一侧，以第二角度进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜形成硅纳米管。本发明采用氮化硅作为注入阻挡层，使得多晶硅线表面均匀掺杂，同时使得后续在多晶硅线上热氧化生长的二氧化硅膜厚度均匀，从而硅纳米管的性能提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102412121A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110328166.2 | 申请日期 | 2011.10.25 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 景旭斌;杨斌;郭明升 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种硅纳米管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；在多晶硅线一侧，以第一角度进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；在多晶硅线另一侧，以第二角度进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜形成硅纳米管。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||