基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述电极之间的聚酰亚胺/金属离子复合薄膜。本发明提供的阻变存储器重复性高、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。

主权项

基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器，包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及设置于所述底电极和顶电极之间的有机功能层，其特征在于：所述的有机功能层为金属离子掺杂的聚酰亚胺复合薄膜。