| 发明名称 | 功率用半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及功率用半导体装置。栅极电极（26）用于控制流过半导体层（SL）的电流。栅极绝缘膜（29）将半导体层（SL）与栅极电极（26）彼此电绝缘。导体部（24）设置在半导体层（SL）上且与半导体层（SL）电连接。层间绝缘膜(25)以导体部（24）与栅极电极（26）电绝缘的方式设置在栅极电极（26）上。缓冲绝缘膜（23）覆盖导体部（24）及层间绝缘膜（25）上的一部分区域并且由绝缘体构成。电极层（21）具有位于导体部（24）露出的区域上的布线部分（21w）及位于缓冲绝缘膜（23）上的焊盘部分（21p）。由此，能够抑制引线（22）连接到焊盘部分（21p）时对IGBT的损伤。此外，能够防止电流集中引起的破坏的产生，能够处理更大的功率。 | ||
| 申请公布号 | CN102414825A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN200980159009.4 | 申请日期 | 2009.04.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 中田和成 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种功率用半导体装置，其特征在于，具有：半导体层（SL）；栅极电极（26），用于对流过所述半导体层（SL）的电流进行控制；栅极绝缘膜（29），将所述半导体层（SL）以及所述栅极电极（26）彼此电绝缘；导体部（24），设置在所述半导体层（SL）上，并且与所述半导体层（SL）电连接；层间绝缘膜（25），以所述导体部（24）与所述栅极电极（26）电绝缘的方式设置在所述栅极电极（26）上；缓冲绝缘膜（23），覆盖所述导体部（24）以及层间绝缘膜（25）上的一部分区域，并且由绝缘体构成；以及电极层（21），具有位于所述导体部（24）露出的区域上的布线部分（21w）和位于所述缓冲绝缘膜（23）上的焊盘部分（21p）。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||