| 发明名称 | 半导体制造和具有半导体结构的半导体器件 | ||
| 摘要 | 描述并描绘了涉及半导体制造和具有半导体结构的半导体器件的实施例。本发明涉及一种方法，其包括：去除半导体衬底的至少第一部和第二部中的半导体材料，从而使得在所述半导体衬底中在所去除的第一部和第二部之间形成半导体结构；对所述半导体衬底应用迁移过程，从而使得所述半导体结构的第一部分在迁移过程之后保留而所述半导体结构的第二部分的半导体材料迁移到其他位置，其中通过所述半导体结构的第二部分的材料迁移，形成在该结构的保留下来的第一部分上方延伸且没有半导体材料的连续空间、以及在所述连续空间上方从第一部延伸到第二部的连续半导体材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN102408092A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110275216.5 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | B.宾德;F.霍夫曼;T.考奇;U.鲁多尔夫 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;卢江 |
| 主权项 | 一种方法，包括：去除半导体衬底的至少第一部和第二部中的半导体材料，从而使得在所述半导体衬底中在所去除的第一部和第二部之间形成半导体结构；对所述半导体衬底应用迁移过程，从而使得所述半导体结构的第一部分在迁移过程之后保留而所述半导体结构的第二部分的半导体材料迁移到其他位置，其中通过所述半导体结构的第二部分的材料迁移，形成在该结构的保留下来的第一部分上方延伸且没有半导体材料的连续空间、以及在所述连续空间上方从第一部延伸到第二部的连续半导体材料层。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||