具有倒T形鳍片多重栅晶体管的集成电路结构及形成方法

摘要

本发明是有关于一种具有倒T形鳍片多重栅晶体管的集成电路结构及形成方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体基材；形成一第一绝缘区以及一第二绝缘区于该半导体基材中，且彼此相对；形成一具有一倒T形的磊晶半导体区，且包括：一水平盘，包括一底部，介于并邻接该第一绝缘区与该第二绝缘区，其中该水平盘的一底表面接触于该半导体基材；以及一鳍片，邻接该水平盘并在其上方；形成一栅极介电体于该鳍片的一上表面及至少该鳍片的侧壁的顶部；以及形成一栅极电极于该栅极介电体的上方。本发明还提供了一种具有倒T形鳍片多重栅晶体管的集成电路结构。因此本发明最终的鳍片场效应晶体管可以具有高驱动电流。

主权项

一种形成具有倒T形鳍片多重栅晶体管的集成电路结构的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：提供一半导体基材；形成一第一绝缘区以及一第二绝缘区于该半导体基材中，且彼此相对；形成一具有一倒T形的磊晶半导体区，且包括：一水平盘，包括一底部，介于并邻接该第一绝缘区与该第二绝缘区，其中该水平盘的一底表面接触于该半导体基材；及一鳍片，邻接该水平盘并在其上方，其中该水平盘及该鳍片分别包含一第一含锗区以及一第二含锗区，且该第一含锗区的组成不同于该第二含锗区的组成；形成一栅极介电体于该鳍片的一上表面及至少该鳍片的侧壁的顶部；以及形成一栅极电极于该栅极介电体的上方。