发明名称 | 用于沉积工艺的高效阱 | ||
摘要 | 本发明提供了通过减少或基本上消除半导体加工系统的设备部件中副产物的累积来改善半导体加工系统如沉积系统的效率的系统、设备和方法。本发明还涉及改善与半导体加工系统有关的前级管道阱的效率,其中,该阱除去了来自处理室的废气中的基本上所有的副产物,另外,本发明提供了有效地清空半导体加工系统的废气中累积的副产物的阱的系统、设备和方法。 | ||
申请公布号 | CN101208779B | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
申请号 | CN200680019702.8 | 申请日期 | 2006.05.09 |
申请人 | 爱德华兹真空股份有限公司 | 发明人 | R·霍格尔 |
分类号 | H01L21/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/30(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭辉 |
主权项 | 一种半导体加工系统,它包括至少一个用于从真空加工单元的废气流中除去所有的副产物的阱串组,以及与所述阱串组相关的氟源,所述氟源向所述阱提供氟以侵蚀所述阱中累积的副产物。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |