发明名称 |
热化学气相沉积反应器以及提高反应器中热辐射率的方法 |
摘要 |
一种热化学气相沉积反应器以及提高反应器中热辐射率的方法,在进行反应之前,对反应腔中的器件预先进行表面处理,改变器件表面的粗糙度或者器件表面的材料组成,使器件表面钝化,从而提高器件的热辐射率数值。本发明使反应腔中的器件表面在反应开始之前就达到稳定的热辐射率,从而保证了加工的均一性和效果。 |
申请公布号 |
CN102409318A |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN201110403712.4 |
申请日期 |
2011.12.08 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
杜志游 |
分类号 |
C23C16/46(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/46(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
张静洁;徐雯琼 |
主权项 |
一种对热化学气相沉积反应器中的器件进行表面处理以提高热辐射率的方法,其特征在于,在进行反应之前,对反应腔中的器件预先进行表面处理,从而提高器件的热辐射率数值使反应腔中器件表面相对未处理前的热辐射数值提高3倍以上,其中所述反应腔中的器件包括加热电阻丝钼Mo和反应腔内壁不锈钢。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |