在高深宽比图案上形成具有Si-N键的共形薄膜的方法

摘要

在具有图案化表面的衬底上形成具有Si-N键的共形介电薄膜的方法包括：向反应空间中导入反应气体；以小于5秒历时的脉冲向该反应空间中导入硅前驱物；在硅前驱物的脉冲期间向该反应空间施加第一RF功率；在硅前驱物脉冲的间隔期间向该反应空间施加第二RF功率，其中硅前驱物脉冲的间隔期间的第二RF功率的平均强度比硅前驱物脉冲期间的第一RF功率的平均强度要大；以及重复该周期以在衬底的图案化表面上形成所需厚度的具有Si-N键的共形介电薄膜。

主权项

一种在具有图案化表面的衬底上形成具有Si‑N键的共形介电薄膜的方法，包括：向内部放置有所述衬底的反应空间中导入反应气体；以小于5秒历时的脉冲向所述反应空间中导入硅前驱物，其中一个脉冲和接着的脉冲之间的一个间隔构成一个反应周期；在每个周期中的硅前驱物脉冲期间向所述反应空间施加第一RF功率；在每个周期中的硅前驱物脉冲的间隔期间向所述反应空间施加第二RF功率，其中在所述硅前驱物脉冲的间隔期间的所述第二RF功率的平均强度大于在所述硅前驱物脉冲期间的所述第一RF功率的平均强度；以及重复所述周期以在所述衬底的所述图案化表面上形成具有期望厚度的具有Si‑N键的共形介电薄膜。